Conform surselor din industrie citate de ZDNet, Samsung Electronics își reevaluează scopul liniei NRD-K Line 2, care este în construcție la campusul său din Giheung. Compania ia în considerare transformarea liniei inițial planificate pentru cercetare și dezvoltare într-o linie de producție dedicată fabricării die-urilor de bază logice de 2nm pentru memoria de mare lățime de bandă (HBM) de generație următoare. Această mișcare este destinată să pregătească compania pentru cererea rapid în creștere a HBM-ului din partea clienților majori, cum ar fi Nvidia.
Conform surselor din industrie citate de ZDNet, Samsung Electronics își reevaluează scopul liniei NRD-K Line 2, care este în construcție la campusul său din Giheung. Compania ia în considerare transformarea liniei inițial planificate pentru cercetare și dezvoltare într-o linie de producție dedicată fabricării die-urilor de bază logice de 2nm pentru memoria de mare lățime de bandă (HBM) de generație următoare. Această mișcare este destinată să pregătească compania pentru cererea rapid în creștere a HBM-ului din partea clienților majori, cum ar fi Nvidia.
Linia NRD-K Line 2 a fost inițial concepută pentru dezvoltarea proceselor avansate. Conform celui mai recent plan, facilitățile ar urma să furnizeze în principal die-uri de bază pentru produsele HBM personalizate și HBM5 după începerea operațiunilor. Samsung a decis să fabrice die-uri de bază HBM5 folosind un proces de 2nm bazat pe arhitectura sa gate-all-around (GAA). Se așteaptă ca produsele de generație următoare să ofere rate de transfer de date cu peste 50% mai mari decât HBM4E, făcând ca design-urile convenționale ale die-urilor de bază să fie din ce în ce mai incapabile să îndeplinească cerințele de lățime de bandă și consum de energie. Seoul Economic Daily a raportat anterior că Samsung a dezvăluit public detaliile soluției sale HBM5 pentru prima dată în luna iunie a acestui an.
Linia este programată să înceapă operațiunile în a doua jumătate a anului 2028. Sursele au spus că, deoarece instalația este relativ mică, cel mai probabil va funcționa sub un model de „send-fab” ca o fabrică auxiliară. În loc să gestioneze întreaga proces de fabricație a wafere-lor în mod independent, aceasta ar primi wafere de la liniile de producție principale de volum mare ale Samsung-ului și ar efectua doar etape de proces selectate. Facilitățile ar completa capacitatea de nod avansat a Samsung-ului în loc să opereze ca o linie de producție completă și independentă.
Proiectul rămâne aproximativ la doi ani distanță de lansarea țintă, iar planul final nu a fost încă aprobat. Deși propunerea internă este în mare parte în vigoare, comenzile de achiziție pentru echipamente nu au fost emise. Suma investiției și scopul final al facilității ar putea fi ajustate ca răspuns la schimbările din cererea pieței semiconductorilor.
NRD-K este un complex integrat avansat de cercetare și dezvoltare construit de Samsung cu o investiție de aproximativ 20 de trilioane de woni. Situl este planificat să includă trei linii de producție. Linia 1 a fost finalizată la sfârșitul anului 2024, în timp ce pregătirile preliminare pentru linia 2 au început în acest an și lucrările de fundație sunt în prezent în desfășurare.
Posibila transformare de către Samsung a unei linii de R&D într-o linie de fabrică dedicată die-urilor de bază HBM reflectă strategia sa de consolidare a coordonării între afacerea de memorie și cea de fabricare. Produsele HBM5 și HBM personalizate concepute pentru GPU-urile Feynman de generație următoare de la Nvidia vor solicita die-uri de bază logice de înaltă performanță. Dacă Samsung poate produce aceste die-uri de 2nm intern, ar putea să-și consolideze poziția competitivă și să dobândească o mai mare control asupra capacității de producție pentru un component esențial HBM.