MG150Q2YS51 Modul IGBT: Caracteristici, specificații și aplicații

Apr13

Căutați: 354

În domeniul aplicațiilor industriale de mare putere, alegerea componentelor potrivite este importantă pentru a asigura eficiența și fiabilitatea.Modulul Toshiba MG150Q2YS51 IGBT iese în evidență ca o soluție robustă, oferind caracteristici avansate adaptate pentru sarcini solicitante, cum ar fi controlul motorului și operațiunile de comutare rapidă.Acest articol oferă o explorare aprofundată a MG150Q2YS51, care acoperă specificațiile sale, circuitul echivalent, dimensiunile de ambalare, alternativele potențiale, aplicațiile și o discuție echilibrată cu privire la avantajele și dezavantajele sale.

Catalog

1. MG150Q2YS51 Prezentare generală

2. Caracteristici MG150Q2YS51

3. MG150Q2YS51 Specificații

4. MG150Q2YS51 Circuit echivalent

5. MG150Q2YS51 Schiță pachet

6. MG150Q2YS51 Alternative

7. MG150Q2YS51 Aplicații

8. Avantajele și dezavantajele MG150Q2YS51

9. Producător

10. Concluzie

MG150Q2YS51 IGBT Module: Features, Specs, and Applications

Prezentare generală MG150Q2YS51

MG75Q2YS51 este un modul IGBT de mare putere de la Toshiba, construit pentru a solicita sarcini industriale, cum ar fi controlul motorului și operațiunile de comutare rapidă.Poate gestiona curent și tensiune ridicat, ceea ce îl face potrivit pentru echipamente care funcționează continuu sau are nevoie de comutare rapidă și fiabilă.Proiectarea sa include un pachet izolat pentru îmbunătățirea siguranței și reducerea pierderilor de energie, asigurând performanțe mai bune și durabilitate pe termen lung în medii dure.Acest modul este utilizat pe scară largă în invertoare, surse de alimentare și alte sisteme de control grele.Pentru cei care gestionează operațiuni la scară largă sau mențin sisteme industriale, această componentă oferă o soluție de putere fiabilă.Comandați în vrac acum pentru a asigura furnizarea continuă și îmbunătățiri eficiente ale sistemului.Contactați -ne astăzi!

Caracteristici MG150Q2YS51

• Tip: IGBT cu canal n cu diodă anti-paralelă

• Configurare: Completați jumătate de pondere într-un singur pachet

• Evaluări maxime:

- Tensiune colector-emițător (v_CE): 1200 v

- Curentul colecționar (i_C.): 200 A la 25 ° C

- Tensiune de emițător de poartă (v_Ge): ± 20 V.

- Disiparea puterii (p_C.): 1250 w

- Temperatura de joncțiune (t_J.): 150 ° C.

• Performanţă:

- Tensiune scăzută de saturație (V_{CE (sâmbătă)}): 3,6 V Max

- Comutare rapidă: Timp de creștere (t_r) de 50 ns

- Impedanță de intrare ridicată: Funcționare în modul de îmbunătățire

• Pachet: Modul de caz izolat

Specificații MG150Q2YS51

Evaluări maxime

CARACTERISTICĂ		SIMBOL	Rating	UNITATE
Tensiune colector-emițător		V_CES	1200	V
Tensiune de emițător de poartă		V_Ges	± 20	V
Curent de colecție	DC	I_C. (25 ° C / 80 ° C)	200 /150	O
Curent de colecție	1ms	I_CP (25 ° C / 80 ° C)	400 /300	O
Curent înainte	DC	I_F	150	O
Curent înainte	1ms	I_FM	300	O
Disiparea puterii colectorului (TC = 25 ° C)		P_C.	1250	W
Temperatura de joncțiune		T_J.	150	° C.
Interval de temperatură de stocare		T_STG	-40 ~ 125	° C.
Tensiune de izolare		V_Izol	2500 (AC 1 minut)	V
Cuplu cu șurub (terminal / montare)		-	3 /3	N · m

Caracteristici electrice

CARACTERISTICĂ	SIMBOL	Condiție de testare	Min.	Typ.	Max.	UNITATE
Curent de scurgere a porții	I_Ges	V_Ge = ± 20V, v_CE = 0	-	-	± 500	N / A
Curent de reducere a colectorului	I_CES	V_CE= 1200V, v_Ge= 0	-	-	2.0	MA
Tensiune de tăiere a emițătorului de poartă	V_{Ge (off)}	I_C.= 150mA, v_CE= 5V	3.0	-	6.0	V
Tensiune de saturație a colectorului-emițător	V_{CE (sâmbătă)}	I_C.= 150a, v_Ge= 15V T._J.= 25 ° C.	-	2.8	3.6	V
Tensiune de saturație a colectorului-emițător	V_{CE (sâmbătă)}	I_C.= 150a, v_Ge= 15V T._J.= 125 ° C.	-	3.1	4.0	V
Capacitate de intrare	C._ies	V_CE= 10V, v_Ge= 0, F = 1MHz	-	18.0	-	nf
Timpul de comutare Timp de întârziere de pornire	t_don)	Sarcina inductivă v_CC= 600V i_C.= 150a V_Ge= ± 15V r_G= 5,6Ω	-	0,05	-	µs
Timpul de comutare Timp de creștere	Tᵣ		-	0,05	-
Timpul de comutare Timp de pornire	t_pe		-	0,5	-
Timpul de comutare Timpul de întârziere dezactivat	t_{D (OFF)}		-	0,2	-
Timpul de comutare Timp de toamnă	t_f		-	0,1	0,3
Timpul de comutare Timp de oprire	t_OFF		-	0,6	-
Tensiune înainte	V_F	I_F= 150a, v_Ge= 0	-	2.4	3.5	V
Timp de recuperare inversă	t_RR	I_F= 150a, v_Ge= -10V DI/DT = 700A/µs	-	0,1	0,25	µs
Rezistență termică	R_{TH (J-C)}	Etapa tranzistorului	-	-	0,1	° C/W.
Rezistență termică	R_{TH (J-C)}	Etapa diodei	-	-	0,24	° C/W.

MG150Q2YS51 Circuit echivalent

MG150Q2YS51 Equivalent Circuit

Circuitul echivalent al MG150Q2YS51 arată două unități IGBT conectate într-o configurație la jumătate de pod.Fiecare IGBT are o diodă încorporată, care permite curentul să curgă în direcția opusă atunci când IGBT este oprit.Terminalele sunt etichetate după cum urmează: C1 și E2 sunt principala intrare și ieșire de putere;E1 este conexiunea comună între cele două IGBT -uri;G1 și G2 sunt terminalele de poartă pentru comutarea controlului;iar E1/C2 acționează ca conexiunea emițătorului/colectorului partajat între cele două tranzistoare.Această configurație este tipică pentru motoarele de conducere sau invertoarele, unde este necesară comutarea rapidă și eficientă.

Contur pachet MG150Q2YS51

MG150Q2YS51 Package Outline

Dimensiunile de ambalare ale modulului MG150Q2YS51 sunt clar prezentate în diagramă.Lungimea totală a modulului este de 106 mm, lățimea este de 60 mm, iar înălțimea este de aproximativ 30,4 mm.Principalele găuri de montare sunt distanțate de 93 mm distanță, cu o perioadă totală de montare de 108 mm.Modulul are trei terminale principale pe partea de sus, distanțate la 25 mm distanță și include găuri cu șurub M5 pentru montarea sigură.Filele Fast-On sunt disponibile pentru conexiuni auxiliare de poartă și auxiliare, facilitând instalarea mai ușoară.Acest design compact și robust permite o montare sigură și o integrare ușoară în sistemele de control al puterii.

MG150Q2YS51 Alternative

• MG75Q2YS51

• MG100Q2YS51

• MG150Q2YS50

• MG150Q2YS40

• MG150Q2YS65H

• MG150J1BS11

• MG150J2YS50

• MG150J7KS60

• FF150R12KT4

• CM150DY-24A

• SKM150GB126D

Aplicații MG150Q2YS51

Sisteme de control motor: Ideal pentru unități motorii industriale, oferind un control precis și o eficiență ridicată.

Aplicații de comutare de mare putere: Potrivit pentru sisteme precum invertoarele de alimentare și convertoarele, unde este necesară comutarea rapidă și eficientă.

Surse de alimentare neîntreruptibile (UPS): Asigură tranziția și stabilitatea puterii fără probleme în sistemele de putere de rezervă.

Echipamente de automatizare industrială: Utilizat în utilaje care necesită componente robuste și fiabile de control al puterii.

Sisteme de energie regenerabilă: Aplicabil în convertoarele de energie solară și eoliană, facilitând transformarea eficientă a energiei.

Avantaje și dezavantaje ale MG150Q2YS51

Avantaje

Impedanță de intrare ridicată: MG150Q2YS51 are o impedanță de intrare ridicată, permițând cerințe mai ușoare de unitate a porții și circuite de control mai simple.

Viteza rapidă de comutare: Cu un timp maxim de cădere (t_f) de 0,3 microsecunde sub sarcină inductivă, acest modul acceptă operațiuni de comutare rapidă, îmbunătățind eficiența în aplicații precum unitățile motorii.

Tensiune de saturație scăzută: Modulul prezintă o tensiune de saturație scăzută a colectorului de emițător (V_{CE (sâmbătă)}) de 3,6 V Max, ceea ce reduce pierderile de conducere și îmbunătățește eficiența generală a sistemului.Configurația integrată la jumătate de pondere: încorporarea unei jumătăți de pondere completă într-un pachet simplifică proiectarea circuitului și reduce numărul de componente, ceea ce duce la sisteme mai compacte și fiabile.

Placă de bază izolată: Electrozii sunt izolați din caz, oferind o izolare electrică care îmbunătățește siguranța și simplifică gestionarea termică.

Dezavantaje

Pierderi de comutare: În timp ce MG150Q2YS51 oferă comutare rapidă, este posibil să experimenteze în continuare pierderi de comutare, în special la frecvențe mai mari.Aceasta este o caracteristică comună a modulelor IGBT și poate afecta eficiența în anumite aplicații.

Cerințe de gestionare termică: Datorită capacităților sale de mare putere, este necesară o gestionare termică eficientă pentru a menține performanțele optime și pentru a preveni supraîncălzirea.Sunt necesare soluții de răcire adecvate pentru a asigura fiabilitatea.

Blocarea limitată a tensiunii inversă: IGBT -urile, inclusiv MG150Q2YS51, de obicei nu blochează bine tensiunea inversă.În aplicațiile în care este necesară blocarea tensiunii inversă, pot fi necesare componente suplimentare precum diode.

Producător

Toshiba Corporation este un conglomerat multinațional japonez cu sediul central în Minato, Tokyo.Fondată în 1939 prin fuziunea lui Shibaura Seisaku-sho (înființată în 1875) și Tokyo Denki (înființată în 1890), compania a adoptat oficial numele „Toshiba” în 1978. Toshiba operează în diverse sectoare, inclusiv sisteme energetice, soluții de infrastructură, stocare și dispozitive electronice și soluții digitale.Istoric, compania a fost un pionier în mai multe progrese tehnologice, cum ar fi dezvoltarea tehnologiei de memorie flash.De-a lungul anilor, Toshiba a suferit transformări considerabile, inclusiv spin-off-ul diviziei sale de memorie într-o entitate separată numită Kioxia.

Concluzie

În rezumat, modulul Toshiba MG150Q2YS51 IGBT încorporează un amestec de performanță ridicată, design compact și versatilitate, ceea ce îl face un atu valoros în diverse aplicații industriale.Deși prezintă avantaje notabile, cum ar fi impedanța de intrare ridicată și viteza de comutare rapidă, considerațiile privind gestionarea termică și pierderile de comutare sunt o utilizare optimă ideală.Înțelegerea acestor fațete permite inginerilor și specialiștilor în achiziții să ia decizii în cunoștință de cauză, asigurând integrarea perfectă a MG150Q2YS51 în sistemele lor.